方塊電阻如何測(cè)試呢，可不可以用萬(wàn)用表電阻檔直接測(cè)試所示的材料呢？不可以的，因萬(wàn)用表的表筆只能測(cè)試點(diǎn)到點(diǎn)之間的電阻，而這個(gè)點(diǎn)到點(diǎn)之間的電阻不表示任何意義。如要測(cè)試方阻，首先我們需要在A邊和B邊各壓上一個(gè)電阻比導(dǎo)電膜電阻小得多的圓銅棒，而且這個(gè)圓銅棒光潔度要高，以便和導(dǎo)電膜接觸良好。
1、市面上的四探針電阻測(cè)試儀分為全自動(dòng)和半自動(dòng)兩種。全自動(dòng)設(shè)備能自動(dòng)掃描并實(shí)時(shí)輸出方阻、電阻率等數(shù)據(jù)，適合大規(guī)模、高效率的檢測(cè)需求，而半自動(dòng)設(shè)備則以性價(jià)比著稱。無(wú)論是哪種類型，四探針測(cè)試都是保證ITO薄膜性能的關(guān)鍵步驟。
2、四探針?lè)y(cè)試方阻 通常采用四探針?lè)y(cè)量膜電阻的方阻。四個(gè)探針接觸電阻膜，排成一條直線，間距相等，約為1毫米。當(dāng)外側(cè)兩條探針通以一恒定電流I時(shí)，測(cè)量?jī)?nèi)側(cè)兩探針間的電位差U，通過(guò)下式可計(jì)算出該膜電... 通常采用四探針?lè)y(cè)量膜電阻的方阻。四個(gè)探針接觸電阻膜，排成一條直線，間距相等，約為1毫米。
3、方塊電阻就是表面電阻率?？梢运奶结?lè)ㄖ苯訙y(cè)試薄膜的表面電阻率。計(jì)算公式：方塊電阻（或表面電阻率）R = 532 * V / I 。其中，V 是探針2-3 間的電位差； I 是探針1-4 間的電流。
4、四探針電阻測(cè)試儀測(cè)量薄層材料方塊電阻時(shí)，需確保探頭邊緣到材料邊緣的距離遠(yuǎn)大于探針間距，一般要求10倍以上。探針頭之間的距離要相等，否則會(huì)產(chǎn)生等比例測(cè)試誤差。理論上，探針頭與導(dǎo)電薄膜接觸點(diǎn)越小越好。但在實(shí)際應(yīng)用中，針狀電極容易破壞被測(cè)試的導(dǎo)電薄膜材料，因此通常采用圓形探針頭。
1、在嘉儀通科技塞貝克系數(shù)分析儀和霍爾測(cè)試儀是兩個(gè)設(shè)備，都可以測(cè)電阻；塞貝克系數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主要測(cè)：Seebeck系數(shù)、電阻率（電阻、電導(dǎo)）；霍爾測(cè)試儀主要測(cè)：霍爾系數(shù)、載流子濃度/遷移率、電阻率（電阻、電導(dǎo)）、方阻。
2、半導(dǎo)體產(chǎn)生Seebeck效應(yīng)主要是載流子從熱端往冷端擴(kuò)散的結(jié)果。N型半導(dǎo)體的載流子是電子，熱端的電子向冷端擴(kuò)散，所以溫差電動(dòng)勢(shì)是從低溫端指向高溫端，即Seebeck系數(shù)為負(fù)。
3、對(duì)于絕大多數(shù)常規(guī)實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目，PPMS已經(jīng)設(shè)計(jì)好了全自動(dòng)的測(cè)量軟件，和具有標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量功能的硬件，如電阻率、磁阻、微分電阻、霍爾系數(shù)、伏安特性、臨界電流、交流磁化率、磁滯回線、比熱、熱磁曲線、熱電效應(yīng)、塞貝克系數(shù)、熱導(dǎo)率和形貌表征等等。
這樣我們就可以通過(guò)用萬(wàn)用表測(cè)試兩銅棒之間的電阻來(lái)測(cè)出導(dǎo)電薄膜材料的方阻。如果方阻值比較小，如在幾個(gè)歐姆以下，因?yàn)榇嬖诮佑|電阻以及萬(wàn)用表本身性能等因素，用萬(wàn)用表測(cè)試就會(huì)存在讀數(shù)不穩(wěn)和測(cè)不準(zhǔn)的情況。這時(shí)就需要用專門(mén)的用四端測(cè)試的低電阻測(cè)試儀器，如毫歐計(jì)、微歐儀等。
測(cè)試方法是使用四根光潔的圓銅棒壓在導(dǎo)電薄膜上，其中兩根（BC）的間距設(shè)置為導(dǎo)電薄膜的寬度，其他兩根（AB、CD）的距離一般在10-20毫米即可。接通儀器后，顯示的阻值即為材料的方塊電阻值。
方塊電阻，作為衡量薄膜狀導(dǎo)電材料厚度的重要指標(biāo)，是通過(guò)測(cè)量一個(gè)正方形薄膜的邊到邊“之”間的電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)的。如圖一所示，即是B邊到C邊的電阻值。
1、測(cè)試方法 方塊電阻如何測(cè)試呢，可不可以用萬(wàn)用表電阻檔直接測(cè)試所示的材料呢？不可以的，因萬(wàn)用表的表筆只能測(cè)試點(diǎn)到點(diǎn)之間的電阻，而這個(gè)點(diǎn)到點(diǎn)之間的電阻不表示任何意義。
2、測(cè)試方法是使用四根光潔的圓銅棒壓在導(dǎo)電薄膜上，其中兩根（BC）的間距設(shè)置為導(dǎo)電薄膜的寬度，其他兩根（AB、CD）的距離一般在10-20毫米即可。接通儀器后，顯示的阻值即為材料的方塊電阻值。
3、要測(cè)量金屬的方阻，可以采用以下步驟： **準(zhǔn)備樣品：** 獲取金屬樣品，并確保其形狀和尺寸符合測(cè)量的要求。樣品應(yīng)該是典型的金屬形狀，如導(dǎo)線、薄片等。 **測(cè)量長(zhǎng)度和截面積：** 使用測(cè)量工具測(cè)量金屬樣品的長(zhǎng)度和截面積。確保測(cè)量結(jié)果是準(zhǔn)確的，因?yàn)榉阶璧挠?jì)算依賴于這兩個(gè)參數(shù)。
4、四探針?lè)y(cè)試方阻 通常采用四探針?lè)y(cè)量膜電阻的方阻。四個(gè)探針接觸電阻膜，排成一條直線，間距相等，約為1毫米。當(dāng)外側(cè)兩條探針通以一恒定電流I時(shí)，測(cè)量?jī)?nèi)側(cè)兩探針間的電位差U，通過(guò)下式可計(jì)算出該膜電... 通常采用四探針?lè)y(cè)量膜電阻的方阻。四個(gè)探針接觸電阻膜，排成一條直線，間距相等，約為1毫米。
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