場效應管測試儀是一種專門用于測量和分析各類半導體器件性能的設備,它在電子工程領域中扮演著至關重要的角色。
1、IGBT測試儀器在市場上有多種選擇,進口品牌中,萊姆和ITC是行業(yè)內(nèi)較為知名的兩大品牌。這兩家公司的產(chǎn)品以其高質(zhì)量和可靠性著稱。在國產(chǎn)品牌方面,西安易恩電氣提供了最大支持8000V和8000A的IGBT測試設備,涵蓋了動靜態(tài)測試、功率循環(huán)測試以及高溫反偏測試等多種功能。
2、基本結IGBT,開關管測試儀具有下列特點:①具有體積小,重量輕攜帶方便;②顯示直觀,穩(wěn)定性好;③操作簡單方便;④便于動態(tài)及在線離線測量;⑤工作可靠性高。IGBT,測試儀以其高可靠性、輕攜帶方便和高可靠性操作簡單方便而被廣泛用于各種功率IGBT,COMS管的測量。
3、動態(tài)測試可借助示波器。搭建測試電路,使IGBT工作在實際工況附近。給柵極施加合適驅動信號,用示波器觀察集電極與發(fā)射極之間的電壓波形以及柵極與發(fā)射極之間的電壓波形。正常的波形應符合IGBT的特性曲線,若波形出現(xiàn)畸變、振蕩等異常,表明IGBT可能存在問題。
當然,使用感性負載進行測試也有其局限性。由于感性負載具有較高的電感,可能會對測試儀的帶載能力提出更高的要求。同時,感性負載還可能導致測試電路中的電壓和電流波形失真,影響測試結果的準確性。因此,在選擇感性負載進行測試時,需要綜合考慮IGBT的實際應用場景和測試需求。
因為IGBT的負載是電感(感性負載,如電機),流過電感的電流大小與時間成正比,所以PWM占空比越高(脈寬越寬)輸出電流越大,IGBT導通后會很快進行飽和狀態(tài),不可能讓它工作在放大區(qū),因為這樣損耗太大了。電流公式應該是I=u*t/L,t就是時間,占空比D就是指IGBT開通時間與周期的比值。
然而,在感性負載下,這個平臺顯得更為明顯,因為電流需要時間來穩(wěn)定,這就導致了續(xù)流現(xiàn)象,從而增加了開關過程中的損耗。在開通階段,MOSFET的門極電壓會緩慢上升,形成一個平坦區(qū)域,而感性負載下,電流上升平滑,形成明顯的平臺電壓。
使用數(shù)字萬用表的二極管檔,通過測量管腳間的正反向電阻來判斷。一般來說,正向電阻較小,反向電阻很大(接近無窮大)。在IGBT管的C-E極間,正向電阻應該是很大的,而反向電阻應該是較小的。這是因為在IGBT內(nèi)部,C-E極間有一個反向并聯(lián)的二極管。
IGBT管是有MOS管(場效應管)和雙極型達林頓管結合而成。普通的場效應管僅需微弱的驅動電壓即可工作,但工作在高電壓和大電流狀態(tài)時,因為內(nèi)阻較大,管子發(fā)熱很快,難以長時間在高電壓和大電流狀態(tài)下工作。大功率的達林頓管雖然可以在高電壓和大電流狀態(tài)下長時間工作,但需要較大的驅動電流。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極晶體管,是一種高性能功率半導體器件。它結合了MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的輸入特性和BJT(雙極型晶體管)的低導通壓降特性,具備高輸入阻抗和低導通壓降的優(yōu)點,適用于高壓、高電流的功率開關應用。
在判斷IGBT好壞時,務必將萬用表撥至R×10KΩ擋,因為R×1KΩ擋及以下檔位的萬用表內(nèi)部電池電壓較低,無法使IGBT導通,從而無法判斷其好壞。此方法也適用于檢測功率場效應晶體管(P-MOSFET)的好壞。
如何判斷igbt的好壞 IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測,或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測量PN結正向壓降進行判斷。
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