雙電測(cè)四探針測(cè)試儀測(cè)量原理基于四探針技術(shù)，采用四探針雙位組合測(cè)量，將范德堡測(cè)量方法應(yīng)用其中。通過(guò)電流探針與電壓探針組合變換進(jìn)行兩次電測(cè)量，最終計(jì)算結(jié)果自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距及機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。無(wú)需考慮探針間距、樣品尺寸及探針位置，動(dòng)態(tài)修正不利因素，顯著提升測(cè)量準(zhǔn)確度。
1、四探針電阻率/方阻測(cè)試儀是一款專為半導(dǎo)體材料如硅單晶、鍺單晶和硅片電阻率測(cè)量設(shè)計(jì)的精密儀器。它主要由主機(jī)、測(cè)試架和四探針頭構(gòu)成，其創(chuàng)新之處在于配置了雙數(shù)字表，一個(gè)用于測(cè)量電阻率，另一個(gè)以萬(wàn)分之幾的精度實(shí)時(shí)監(jiān)控電流變化，確保測(cè)量過(guò)程的精確性。
2、四探針電阻率/方阻測(cè)試儀是針對(duì)半導(dǎo)體材料，如硅單晶、鍺單晶和硅片，設(shè)計(jì)的精密電阻率測(cè)量設(shè)備。該設(shè)備的主體部分包括主機(jī)、測(cè)試架和四探針頭，其特色在于搭載了雙數(shù)字表設(shè)計(jì)——一個(gè)用于電阻率測(cè)量，另一個(gè)用于實(shí)時(shí)監(jiān)控電橋電流，以保證測(cè)量的高精度。
3、KDY-1型四探針電阻率/方阻測(cè)試儀（以下簡(jiǎn)稱電阻率測(cè)試儀）是用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電薄膜、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測(cè)量?jī)x器。它主要由電氣測(cè)量部份（簡(jiǎn)稱：主機(jī)）、測(cè)試架及四探針頭組成。
數(shù)字四探針測(cè)試儀是一種多用途的綜合測(cè)量設(shè)備，其工作原理基于四探針測(cè)量法。這款儀器嚴(yán)格遵循單晶硅物理測(cè)試方法的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行設(shè)計(jì)，特別適用于半導(dǎo)體材料電阻率和方塊電阻（薄層電阻）的精確測(cè)量。它由主機(jī)、專用測(cè)試臺(tái)、四探針探頭和計(jì)算機(jī)等組件構(gòu)成。
四探針法半導(dǎo)體材料電阻/方阻測(cè)試儀是一種用于測(cè)量半導(dǎo)體材料電阻率及方阻的精密儀器。它通過(guò)施加電流并測(cè)量電壓計(jì)算電阻率，通常由四個(gè)金屬探針構(gòu)成一字排列，其中兩個(gè)探針作為電流源與電壓測(cè)量電極，其余兩個(gè)探針用于測(cè)量電流和電壓。四探針法因可消除接觸電阻影響，具有高精度，多用于測(cè)量薄層材料電阻率。
綜上所述，四探針電阻測(cè)試儀通過(guò)巧妙的探針布局和復(fù)雜的計(jì)算邏輯，實(shí)現(xiàn)了對(duì)電阻率的精細(xì)測(cè)量，是電子科學(xué)領(lǐng)域中不可或缺的精密設(shè)備。
四探針測(cè)試儀具備一系列技術(shù)參數(shù)，以確保精準(zhǔn)測(cè)量。首先，測(cè)量范圍廣泛，包括電阻率在10^-4至10^5 Ω.cm之間，方塊電阻覆蓋10^-3至10^6 Ω/□，電導(dǎo)率量程為10^-5至10^4 s/cm，電阻量程則為10^-4至10^5 Ω。
技術(shù)參數(shù)方面，測(cè)試儀的測(cè)量范圍廣泛，電阻率可達(dá)0.0001~19000Ω·cm，方塊電阻在0.001~1900Ω·□之間。恒流源輸出電流在0.001~100mA，精度達(dá)到±0.05%。直流數(shù)字電壓表具有10μV的高靈敏度，基本誤差控制在±0.004%讀數(shù) + 0.01%滿度。供電為AC 220V±10% 50/60 Hz，功率為12W。
通過(guò)調(diào)整In2O3與Sn2O的比例，可以控制這兩者的平衡，以優(yōu)化性能。在實(shí)際應(yīng)用中，高檔STN液晶顯示屏使用的ITO玻璃其方阻約為10歐姆/平方厘米，膜厚在100-200微米，而低檔TN產(chǎn)品則相應(yīng)較高，方阻在100-300歐姆/平方厘米，膜厚更薄。為了精確評(píng)估ITO薄膜的導(dǎo)電性能，四探針電阻測(cè)試儀是一種常用工具。
該設(shè)備的核心專利技術(shù)為“微移四探針頭”，其微移率在0.1~0.2%，這大大提升了測(cè)量的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。當(dāng)與HQ-710E數(shù)據(jù)處理器配合使用時(shí)，能夠自動(dòng)進(jìn)行硅片厚度、直徑和探針間距的校正，自動(dòng)計(jì)算并輸出電阻率等數(shù)據(jù)，極大地簡(jiǎn)化了操作流程。
高溫測(cè)試平臺(tái)是為樣品提供一個(gè)高溫環(huán)境；高溫四探針夾具提供待測(cè)試樣品的測(cè)試平臺(tái)；電阻率測(cè)試儀則負(fù)責(zé)測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)。最后，再通過(guò)測(cè)量軟件將這些硬件設(shè)備的功能整合在一起，形成一套由實(shí)驗(yàn)方案設(shè)計(jì)到溫度控制、參數(shù)測(cè)量、圖形數(shù)據(jù)顯示與數(shù)據(jù)分析于一體的高溫電阻率測(cè)量系統(tǒng)。
四探針直線測(cè)量： 探針布局：四探針測(cè)試儀采用兩對(duì)探針，分別用于注入電流和測(cè)量電壓。 電流路徑：通過(guò)交替接觸被測(cè)樣品的不同位置，形成一個(gè)虛擬的電流路徑。 誤差控制：這種設(shè)計(jì)確保了測(cè)量過(guò)程中對(duì)溫度、電壓分布的控制，避免了表面效應(yīng)帶來(lái)的誤差，從而得到更準(zhǔn)確的電阻率值。
四探針電阻測(cè)試儀的工作原理主要基于四探針直線測(cè)量和四探針方塊測(cè)量。 四探針直線測(cè)量： 探針布局：四探針測(cè)試儀采用兩對(duì)探針，分別用于注入電流和測(cè)量電壓。 電流路徑：通過(guò)交替接觸被測(cè)樣品的不同位置，形成一個(gè)虛擬的電流路徑。
總的來(lái)說(shuō)，四探針電阻測(cè)試儀的工作原理就像是一部精密的電子魔術(shù)師，通過(guò)巧妙的探針布局和復(fù)雜的計(jì)算，為我們揭示了電阻率測(cè)量的深層秘密。無(wú)論你是科研人員還是工程師，掌握這種技術(shù)都將為你在電子材料的研究與應(yīng)用中增添一把利器。
三琦高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)是為了滿足材料在高溫環(huán)境下的阻抗特性測(cè)量需求而設(shè)計(jì)的。它由硬件設(shè)備和測(cè)量軟件組成，包括高溫測(cè)試平臺(tái)、高溫四探針夾具、電阻率測(cè)試儀和高溫電阻率測(cè)量系統(tǒng)軟件四個(gè)組成部分。
四探針電阻測(cè)試儀測(cè)量薄層材料方塊電阻時(shí)，需確保探頭邊緣到材料邊緣的距離遠(yuǎn)大于探針間距，一般要求10倍以上。探針頭之間的距離要相等，否則會(huì)產(chǎn)生等比例測(cè)試誤差。理論上，探針頭與導(dǎo)電薄膜接觸點(diǎn)越小越好。但在實(shí)際應(yīng)用中，針狀電極容易破壞被測(cè)試的導(dǎo)電薄膜材料，因此通常采用圓形探針頭。
電阻測(cè)試儀的原理主要基于四探針法以及直流變換原理。 四探針法： 核心原理：四探針法是測(cè)試半導(dǎo)體電阻率的常用方法，其核心在于C系數(shù)，這個(gè)系數(shù)影響探針與樣品接觸的精確度。 操作過(guò)程：預(yù)熱樣品以排除環(huán)境干擾，連接屏蔽線以減小外部噪聲，對(duì)樣品進(jìn)行細(xì)致處理，確保測(cè)試環(huán)境穩(wěn)定。
本文暫時(shí)沒有評(píng)論，來(lái)添加一個(gè)吧(●'?'●)