1、四探針電阻率/方阻測(cè)試儀是一款專為半導(dǎo)體材料如硅單晶、鍺單晶和硅片電阻率測(cè)量設(shè)計(jì)的精密儀器。它主要由主機(jī)、測(cè)試架和四探針頭構(gòu)成，其創(chuàng)新之處在于配置了雙數(shù)字表，一個(gè)用于測(cè)量電阻率，另一個(gè)以萬分之幾的精度實(shí)時(shí)監(jiān)控電流變化，確保測(cè)量過程的精確性。
方塊電阻的測(cè)定方法如下：使用圓銅棒測(cè)試法：在導(dǎo)電薄膜的A邊和B邊各放置一個(gè)電阻遠(yuǎn)小于導(dǎo)電膜電阻的圓銅棒，確保銅棒表面光潔以實(shí)現(xiàn)良好接觸。通過測(cè)量?jī)蓚€(gè)銅棒之間的電阻，可以得到導(dǎo)電薄膜材料的方塊電阻值。
測(cè)試方法是使用四根光潔的圓銅棒壓在導(dǎo)電薄膜上，其中兩根（BC）的間距設(shè)置為導(dǎo)電薄膜的寬度，其他兩根（AB、CD）的距離一般在10-20毫米即可。接通儀器后，顯示的阻值即為材料的方塊電阻值。
方塊電阻如何測(cè)試呢，可不可以用萬用表電阻檔直接測(cè)試所示的材料呢？不可以的，因萬用表的表筆只能測(cè)試點(diǎn)到點(diǎn)之間的電阻，而這個(gè)點(diǎn)到點(diǎn)之間的電阻不表示任何意義。如要測(cè)試方阻，首先我們需要在A邊和B邊各壓上一個(gè)電阻比導(dǎo)電膜電阻小得多的圓銅棒，而且這個(gè)圓銅棒光潔度要高，以便和導(dǎo)電膜接觸良好。
大多數(shù)方塊電阻測(cè)試儀采用的計(jì)算公式是：R=532*V/I。其中V是3探針的電壓；I是4探針的電流。如果僅考慮儀器測(cè)準(zhǔn)的較準(zhǔn)（不考慮儀器的負(fù)載能力），最簡(jiǎn)單的方法：將2探針并聯(lián)后，與一個(gè)1歐姆的精密電阻（或標(biāo)準(zhǔn)電阻）的一端相連；4探針并聯(lián)后，再與精密電阻的另一端相連。這時(shí)方塊電阻測(cè)試儀的測(cè)試值=532歐姆/方塊。
儀器的核心專利技術(shù)是小游移四探針頭，其游移率在0.1~0.2%，提高了測(cè)量的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。若配合HQ-710E數(shù)據(jù)處理器，測(cè)量硅片時(shí)能自動(dòng)進(jìn)行厚度、直徑和探針間距校正，自動(dòng)計(jì)算和打印電阻率變化等數(shù)據(jù)，極大地簡(jiǎn)化了操作過程。
當(dāng)與HQ-710E數(shù)據(jù)處理器配合使用時(shí)，能夠自動(dòng)進(jìn)行硅片厚度、直徑和探針間距的校正，自動(dòng)計(jì)算并輸出電阻率等數(shù)據(jù)，極大地簡(jiǎn)化了操作流程。
四探針測(cè)試法的特點(diǎn)在于它能有效降低電路電阻和接觸電阻對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，從而提高測(cè)量準(zhǔn)確性和可信度。通過在被測(cè)樣品表面設(shè)置兩個(gè)電流探針和兩個(gè)電壓探針，電流源送出直流電流，電壓探頭檢測(cè)電勢(shì)差，利用歐姆定律計(jì)算出樣品各點(diǎn)的電阻率。
保證了儀器測(cè)量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。本機(jī)如加配HQ-710E數(shù)據(jù)處理器，測(cè)量硅片時(shí)可自動(dòng)進(jìn)行厚度、直徑、探針間距的修正，并計(jì)算、打印出硅片電阻率、徑向電阻率的最大百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均勻度，給測(cè)量帶來很大方便。
和 流過電阻的電流的。在萬用表的說明書上能找到每個(gè)檔位的說明，包括對(duì)LV和LI的解釋。這些知識(shí)我就是從萬用表說明書上學(xué)到的。在x 10K檔位，表內(nèi)電池電壓是9V（有的表是15V，9V和15V都是用的疊層電池，方塊的那種），滿偏電流也是145uA，在正向測(cè)量發(fā)光二極管時(shí)能看到LED被微弱點(diǎn)亮。
四探針電阻測(cè)試儀的工作原理主要基于四探針直線測(cè)量和四探針方塊測(cè)量。 四探針直線測(cè)量： 探針布局：四探針測(cè)試儀采用兩對(duì)探針，分別用于注入電流和測(cè)量電壓。 電流路徑：通過交替接觸被測(cè)樣品的不同位置，形成一個(gè)虛擬的電流路徑。
總的來說，四探針電阻測(cè)試儀的工作原理就像是一部精密的電子魔術(shù)師，通過巧妙的探針布局和復(fù)雜的計(jì)算，為我們揭示了電阻率測(cè)量的深層秘密。無論你是科研人員還是工程師，掌握這種技術(shù)都將為你在電子材料的研究與應(yīng)用中增添一把利器。
工作原理：測(cè)試儀通過施加電流并測(cè)量電壓來計(jì)算電阻率。它通常由四個(gè)金屬探針構(gòu)成一字排列，其中兩個(gè)探針作為電流源與電壓測(cè)量電極，用于注入電流并測(cè)量產(chǎn)生的電壓；其余兩個(gè)探針則用于測(cè)量電流和電壓，從而計(jì)算出電阻率。四探針法優(yōu)勢(shì)：該方法可以消除接觸電阻的影響，因此具有高精度。
測(cè)試原理：四探針電阻測(cè)試儀通過向ITO薄膜施加電流并測(cè)量電壓降，從而計(jì)算出薄膜的方塊電阻。測(cè)試時(shí)，儀器會(huì)將測(cè)試區(qū)域分成九等份，進(jìn)行多點(diǎn)測(cè)量并計(jì)算平均值和分散值，以確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。應(yīng)用重要性：ITO薄膜作為現(xiàn)代液晶顯示器中的關(guān)鍵材料，其導(dǎo)電性能直接影響顯示器的性能。
四探針電阻測(cè)試儀測(cè)量薄層材料方塊電阻時(shí)，需確保探頭邊緣到材料邊緣的距離遠(yuǎn)大于探針間距，一般要求10倍以上。探針頭之間的距離要相等，否則會(huì)產(chǎn)生等比例測(cè)試誤差。理論上，探針頭與導(dǎo)電薄膜接觸點(diǎn)越小越好。但在實(shí)際應(yīng)用中，針狀電極容易破壞被測(cè)試的導(dǎo)電薄膜材料，因此通常采用圓形探針頭。
高溫測(cè)試平臺(tái)是為樣品提供一個(gè)高溫環(huán)境；高溫四探針夾具提供待測(cè)試樣品的測(cè)試平臺(tái)；電阻率測(cè)試儀則負(fù)責(zé)測(cè)試參數(shù)數(shù)據(jù)。最后，再通過測(cè)量軟件將這些硬件設(shè)備的功能整合在一起，形成一套由實(shí)驗(yàn)方案設(shè)計(jì)到溫度控制、參數(shù)測(cè)量、圖形數(shù)據(jù)顯示與數(shù)據(jù)分析于一體的高溫電阻率測(cè)量系統(tǒng)。
四探針電阻測(cè)試儀測(cè)量薄層材料方塊電阻時(shí)，需確保探頭邊緣到材料邊緣的距離遠(yuǎn)大于探針間距，一般要求10倍以上。探針頭之間的距離要相等，否則會(huì)產(chǎn)生等比例測(cè)試誤差。理論上，探針頭與導(dǎo)電薄膜接觸點(diǎn)越小越好。但在實(shí)際應(yīng)用中，針狀電極容易破壞被測(cè)試的導(dǎo)電薄膜材料，因此通常采用圓形探針頭。薄層材料方阻的計(jì)算還依賴于薄層材料的電阻率。
在測(cè)量薄層材料的方塊電阻時(shí)，四探針電阻測(cè)試儀的使用需要遵循一定的原則，如探頭邊緣與材料邊緣的距離需遠(yuǎn)大于探針間距（通常要求10倍以上），同時(shí)保證探針頭之間的距離相等，以避免產(chǎn)生測(cè)試誤差。理論上，探針頭與導(dǎo)電薄膜接觸點(diǎn)越小越好，但實(shí)際應(yīng)用中采用圓形探針頭，以減少對(duì)被測(cè)試材料的破壞風(fēng)險(xiǎn)。
四探針原理是用于測(cè)量材料電阻率的一種方法，其主要原理是將四根排成一條直線的探針垂直地壓在被測(cè)樣品表面上，其中4探針間通以電流，3探針間產(chǎn)生電壓。測(cè)量此電壓并根據(jù)不同的測(cè)量方式和樣品尺寸，可通過特定公式計(jì)算樣品的電阻率、方塊電阻、電阻等。
方塊電阻的測(cè)定方法如下：使用圓銅棒測(cè)試法：在導(dǎo)電薄膜的A邊和B邊各放置一個(gè)電阻遠(yuǎn)小于導(dǎo)電膜電阻的圓銅棒，確保銅棒表面光潔以實(shí)現(xiàn)良好接觸。通過測(cè)量?jī)蓚€(gè)銅棒之間的電阻，可以得到導(dǎo)電薄膜材料的方塊電阻值。
測(cè)試方法是使用四根光潔的圓銅棒壓在導(dǎo)電薄膜上，其中兩根（BC）的間距設(shè)置為導(dǎo)電薄膜的寬度，其他兩根（AB、CD）的距離一般在10-20毫米即可。接通儀器后，顯示的阻值即為材料的方塊電阻值。
方塊電阻通過測(cè)量薄膜或鍍膜層上的電阻值，可以間接反映其熱紅外性能。該數(shù)值大小可以直接換算為熱紅外輻射率，用于評(píng)估材料在熱紅外波段的表現(xiàn)。單位與表征：方塊電阻的單位為Siements/sq，后來也常用歐姆/sq來表示。該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻，特別在膜層測(cè)量中又稱為膜層電阻。
方塊電阻是通過測(cè)量一個(gè)正方形薄膜的邊到邊的電阻來實(shí)現(xiàn)的，不論正方形的邊長如何變化，其方阻都保持不變。測(cè)量時(shí)，通常選擇正方形的一條邊到對(duì)角邊的“之”字形路徑進(jìn)行測(cè)量，得到的電阻值即為該薄膜的方塊電阻。
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