1、少子，即少數(shù)載流子，是半導(dǎo)體物理的概念。 它相對(duì)于多子而言。半導(dǎo)體材料中有電子和空穴兩種載流子。如果在半導(dǎo)體材料中某種載流子占少數(shù)，導(dǎo)電中起到次要作用，則稱它為少子。如，在 N型半導(dǎo)體中，空穴是少數(shù)載流子，電子是多數(shù)載流子；在P型半導(dǎo)體中，空穴是多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子。
而非平衡載流子一般也就是非平衡少數(shù)載流子（因?yàn)橹挥猩贁?shù)載流子才能注入到半導(dǎo)體內(nèi)部、并積累起來(lái)，多數(shù)載流子即使注入進(jìn)去后也就通過(guò)庫(kù)侖作用而很快地消失了），所以非平衡載流子壽命也就是指非平衡少數(shù)載流子壽命，即少數(shù)載流子壽命。
simlab少子壽命測(cè)試儀的功能和檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn) 展開(kāi) 我來(lái)答 分享 微信掃一掃 新浪微博 QQ空間 舉報(bào) 瀏覽39 次 可選中1個(gè)或多個(gè)下面的關(guān)鍵詞，搜索相關(guān)資料。也可直接點(diǎn)“搜索資料”搜索整個(gè)問(wèn)題。
單晶硅少子壽命測(cè)試儀測(cè)量范圍可直接測(cè)量：a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
建議：硅片-清洗-植絨--后碘酒鈍化---測(cè)試少子壽命建議：（wt2000平均）. 但是此少子壽命數(shù)值也僅可以做個(gè)參考.并不能完全從此判定硅片的好壞。
少子壽命是越大越好，就目前的太陽(yáng)能級(jí)硅來(lái)說(shuō)能有5us已經(jīng)不錯(cuò)了，如果太低（如小于1us）將嚴(yán)重影響電池效率。現(xiàn)在太陽(yáng)能企業(yè)要求越來(lái)越高，多晶要求大于2，單晶要求大于10。處于熱平衡狀態(tài)下的半導(dǎo)體，在一定溫度下，載流子的濃度是一定的，稱為平衡載流子濃度， 如果對(duì)半導(dǎo)體施加外界作用，破壞了熱平衡的條件，稱為非平衡狀態(tài)。
少子壽命是半導(dǎo)體材料和器件的重要參數(shù)。它直接反映了材料的質(zhì)量和器件特性。能夠準(zhǔn)確的得到這個(gè)參數(shù)，對(duì)于半導(dǎo)體器件制造具有重要意義。
在技術(shù)指標(biāo)方面，多晶硅分為N型和P型，其電阻率分別大于100Ω·cm和1000Ω·cm。此外，要求少子壽命至少為25微秒，且雜質(zhì)含量（C）應(yīng)低于1ppma。這些指標(biāo)對(duì)于保證多晶硅的性能和在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用至關(guān)重要。
單晶質(zhì)子導(dǎo)電性測(cè)試用的儀器運(yùn)用了第四代集成電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)。儀器采用熱電法測(cè)量硅單晶型號(hào)，配置了可自動(dòng)恒溫的熱探筆，并由液晶器件直接發(fā)顯示N、P型。對(duì)于電阻率小于1000Ω.cm的硅片、塊都可以準(zhǔn)確地鑒定出導(dǎo)電型號(hào)。
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