大多數方塊電阻測試儀采用的計算公式是：R=532*V/I。其中V是3探針的電壓；I是4探針的電流。如果僅考慮儀器測準的較準（不考慮儀器的負載能力），最簡單的方法：將2探針并聯后，與一個1歐姆的精密電阻（或標準電阻）的一端相連；4探針并聯后，再與精密電阻的另一端相連。這時方塊電阻測試儀的測試值=532歐姆/方塊。
四探針電阻測試儀測量薄層材料方塊電阻時，需確保探頭邊緣到材料邊緣的距離遠大于探針間距，一般要求10倍以上。探針頭之間的距離要相等，否則會產生等比例測試誤差。理論上，探針頭與導電薄膜接觸點越小越好。但在實際應用中，針狀電極容易破壞被測試的導電薄膜材料，因此通常采用圓形探針頭。薄層材料方阻的計算還依賴于薄層材料的電阻率。
在測量薄層材料的方塊電阻時，四探針電阻測試儀的使用需要遵循一定的原則，如探頭邊緣與材料邊緣的距離需遠大于探針間距（通常要求10倍以上），同時保證探針頭之間的距離相等，以避免產生測試誤差。理論上，探針頭與導電薄膜接觸點越小越好，但實際應用中采用圓形探針頭，以減少對被測試材料的破壞風險。
四探針原理是用于測量材料電阻率的一種方法，其主要原理是將四根排成一條直線的探針垂直地壓在被測樣品表面上，其中4探針間通以電流，3探針間產生電壓。測量此電壓并根據不同的測量方式和樣品尺寸，可通過特定公式計算樣品的電阻率、方塊電阻、電阻等。
四探針原理即雙電測測量原理是通過巧妙運用電流與電壓探針的組合，實現對材料電阻特性的高精度測量。具體原理及步驟如下：探針組合與測量：電流與電壓探針配置：雙電測四探針測試方法使用四根探針，其中兩根用于通入電流，另外兩根用于測量電壓。
四探針方塊測量： 測量算法：基于方塊電阻模型，通過四個探針對樣品的四個邊進行接觸，構建出一個虛擬的四邊形。 內部電阻捕捉：這種方法能更好地捕捉到樣品內部電阻的變化，尤其適合于研究半導體、超導體等材料的內部電性能。 靈活性：提升了測量的靈活性，適用于不同形狀和尺寸的樣品。
通常采用四探針法測量膜電阻的方阻。四個探針接觸電阻膜，排成一條直線，間距相等，約為1毫米。當外側兩條探針通以一恒定電流I時，測量內側兩探針間的電位差U，通過下式可計算出該膜電... 通常采用四探針法測量膜電阻的方阻。四個探針接觸電阻膜，排成一條直線，間距相等，約為1毫米。
工作原理：獨立電極：該方法使用獨立于載電流和電壓檢測電極，通過分離的電流和電壓電極來有效消除布線和接觸電阻的阻抗，從而提高測量的準確性。應用范圍：廣泛應用：開爾文四線檢測被廣泛應用于歐姆表和阻抗分析儀中，尤其在精密應變計和電阻溫度計的接線配置中發(fā)揮重要作用。
測試儀的基本原理仍然是恒流源給探針頭（4探針）提供穩(wěn)定的測量電流I（由DVM1監(jiān)測），探針頭（3）探針測取電位差V（由DVM2測量），由下式即可計算出材料的電阻率：厚度小于4倍探針間距的樣片均可按下式計算式中：V——DVM2的讀數，mV。 I——DVM1的讀數，mA。 W——被測樣片的厚度值以cm為單位。
單探針法測試時，電子傳輸路徑包含涂層與集流體界面、集流體以及橫向集流體，而四探針法則通過分離的電流和電壓電極，消除了接觸電阻的影響，因此測得的電阻率絕對值最小。四探針法的測試原理基于分離的電流和電壓電極，電壓表內阻足夠大，可以忽略支路電流和接觸端子壓降的影響。
工作原理：測試儀通過施加電流并測量電壓來計算電阻率。它通常由四個金屬探針構成一字排列，其中兩個探針作為電流源與電壓測量電極，用于注入電流并測量產生的電壓；其余兩個探針則用于測量電流和電壓，從而計算出電阻率。四探針法優(yōu)勢：該方法可以消除接觸電阻的影響，因此具有高精度。
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