四探針原理|薄層材料的方塊電阻

1、四探針電阻測試儀測量薄層材料方塊電阻時，需確保探頭邊緣到材料邊緣的距離遠(yuǎn)大于探針間距，一般要求10倍以上。探針頭之間的距離要相等，否則會產(chǎn)生等比例測試誤差。理論上，探針頭與導(dǎo)電薄膜接觸點(diǎn)越小越好。但在實際應(yīng)用中，針狀電極容易破壞被測試的導(dǎo)電薄膜材料，因此通常采用圓形探針頭。薄層材料方阻的計算還依賴于薄層材料的電阻率。

方塊電阻簡介

方塊電阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料厚度和導(dǎo)電性能的重要指標(biāo)。以下是關(guān)于方塊電阻的簡介：定義與測量：方塊電阻是通過測量一個正方形薄膜的邊到邊的電阻來實現(xiàn)的，不論正方形的邊長如何變化，其方阻都保持不變。測量時，通常選擇正方形的一條邊到對角邊的“之”字形路徑進(jìn)行測量，得到的電阻值即為該薄膜的方塊電阻。

方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關(guān)，其單位為Siements/sq，后增加歐姆/sq表征方式，該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻，用于膜層測量又稱為膜層電阻。

透明導(dǎo)電玻璃（即在平整度好、透光率高、曲翹度很小的玻璃表面鍍上透明導(dǎo)電膜）要求阻值較低，方塊電阻一般在30Ω以內(nèi)，PI（聚酰亞胺、定向材料）、液晶等材料要求純度較高，即電阻率大。ACF（Anisotropic Conductive Film）是一種各向異性導(dǎo)電膜，在垂直方向?qū)щ?，而在水平方向絕緣。

激光多普勒測試，方塊電阻測試，IV測試，CV測試等。

苗莉等[6]采用噴霧熱解法，以NH4F、SnCl22H20為原料，在普通玻璃襯底上制備出了方塊電阻最低達(dá)到2Ω/口，可見光透光率為895%的FTO薄膜，且薄膜晶粒均勻，表面形貌平整致密。Yadav等[7]采用噴霧熱解法，制備了不同厚度的FTO薄膜，最低電阻率達(dá)到91 X 10-4 Ωcm。

多晶硅太陽能電池 多晶硅太陽能電池兼具單晶硅電池的高轉(zhuǎn)換效率和長壽命以及非晶硅薄膜電池的材料制備工藝相對簡化等優(yōu)點(diǎn)的新一代電池，其轉(zhuǎn)換效率一般為12%左右，稍低于單晶硅太陽電池，沒有明顯效率衰退問題，并且有可能在廉價襯底材料上制備，其成本遠(yuǎn)低于單晶硅電池，而效率高于非晶硅薄膜電池。

方塊電阻方塊電阻的測定

方塊電阻的測定方法如下：使用圓銅棒測試法：在導(dǎo)電薄膜的A邊和B邊各放置一個電阻遠(yuǎn)小于導(dǎo)電膜電阻的圓銅棒，確保銅棒表面光潔以實現(xiàn)良好接觸。通過測量兩個銅棒之間的電阻，可以得到導(dǎo)電薄膜材料的方塊電阻值。

測試方法是使用四根光潔的圓銅棒壓在導(dǎo)電薄膜上，其中兩根（BC）的間距設(shè)置為導(dǎo)電薄膜的寬度，其他兩根（AB、CD）的距離一般在10-20毫米即可。接通儀器后，顯示的阻值即為材料的方塊電阻值。

方塊電阻通過測量薄膜或鍍膜層上的電阻值，可以間接反映其熱紅外性能。該數(shù)值大小可以直接換算為熱紅外輻射率，用于評估材料在熱紅外波段的表現(xiàn)。單位與表征：方塊電阻的單位為Siements/sq，后來也常用歐姆/sq來表示。該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻，特別在膜層測量中又稱為膜層電阻。