場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀的主要作用

1、場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀的主要作用包括以下幾點(diǎn)：測(cè)量關(guān)鍵參數(shù)：場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀能夠精準(zhǔn)地測(cè)試功率場(chǎng)效應(yīng)管的關(guān)鍵參數(shù)，如擊穿電壓VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS和跨導(dǎo)Gfs，這些參數(shù)是衡量場(chǎng)效應(yīng)管性能的重要指標(biāo)。

IGBT如何測(cè)試漏電流

1、IGBT芯片的可靠性試驗(yàn)包含多種溫度沖擊測(cè)試。首先，HTRB試驗(yàn)用于驗(yàn)證穩(wěn)定情況下IGBT的漏電指標(biāo)可靠性，主要關(guān)注的是邊緣結(jié)構(gòu)、鈍化層及離子污染物。在試驗(yàn)過(guò)程中，可監(jiān)測(cè)漏電流隨時(shí)間的變化。HTGB試驗(yàn)則針對(duì)電和熱負(fù)載下柵極漏電流的穩(wěn)定性，重點(diǎn)在于柵極氧化層的完整性及移動(dòng)離子污染。

2、HTRB試驗(yàn)：主要考核IGBT在高溫反偏條件下的漏電指標(biāo)可靠性，監(jiān)測(cè)漏電流隨時(shí)間的變化情況。（2）HTGB試驗(yàn)：旨在驗(yàn)證電和熱負(fù)載下柵極漏電流的穩(wěn)定性，關(guān)注柵極氧化層的完整性及移動(dòng)離子污染，并持續(xù)監(jiān)測(cè)柵極的漏電流和開(kāi)通電壓。

3、靜態(tài)電流測(cè)試：通過(guò)測(cè)量IGBT的漏極電流和柵極電流，可以判斷其是否存在漏電流或過(guò)大的柵極電流，從而判斷其工作狀態(tài)。 動(dòng)態(tài)特性測(cè)試：通過(guò)施加不同的電壓和電流信號(hào)，觀(guān)察IGBT的開(kāi)關(guān)特性和響應(yīng)速度，判斷其是否存在開(kāi)關(guān)失效或響應(yīng)遲緩的問(wèn)題。

4、首先，靜態(tài)測(cè)量法是常用的一種手段。這包括測(cè)量柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE，以確定IGBT開(kāi)始導(dǎo)通的閾值電壓。在此過(guò)程中，還需要測(cè)量漏電流的大小，以評(píng)估柵極的絕緣性能。同時(shí)，測(cè)量集電極-發(fā)射極之間的電流在IGBT截止?fàn)顟B(tài)下的情況，有助于評(píng)估其截止性能。

5、可見(jiàn)檢查：首先，通過(guò)肉眼檢查模塊的外觀(guān)是否有損壞、燒焦或者漏油等情況。這可以幫助排除一些明顯的問(wèn)題，比如外殼破裂、焊接點(diǎn)脫落等。電氣參數(shù)測(cè)試：使用萬(wàn)用表或者專(zhuān)業(yè)的測(cè)試設(shè)備，測(cè)量模塊的電氣參數(shù)，如導(dǎo)通電阻、絕緣電阻、漏電流等。這可以幫助判斷模塊內(nèi)部是否存在短路、漏電等問(wèn)題。

大功率IGBT該通過(guò)什么方法測(cè)量?

1、測(cè)量大功率IGBT可以采用以下方法。萬(wàn)用表測(cè)量：使用萬(wàn)用表的二極管檔，將紅表筆接IGBT的C極，黑表筆接E極，正常情況下此時(shí)顯示為無(wú)窮大；然后用手指同時(shí)觸碰G極與C極，給G極一個(gè)觸發(fā)信號(hào)，萬(wàn)用表顯示值會(huì)變小，說(shuō)明IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通；再用手指觸碰G極與E極，使G極放電，萬(wàn)用表又顯示無(wú)窮大，表明IGBT能正常關(guān)斷。

2、大功率IGBT的測(cè)量可采用以下方法。萬(wàn)用表測(cè)量：使用萬(wàn)用表的二極管檔，將紅表筆接IGBT的C極，黑表筆接E極，正常情況下會(huì)顯示一定的壓降值，反向測(cè)量時(shí)應(yīng)顯示無(wú)窮大；G極與E極之間正反測(cè)量也應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)量值異常，可能IGBT已損壞。

3、測(cè)量大功率IGBT 可采用以下方法。靜態(tài)參數(shù)測(cè)量方面，使用萬(wàn)用表的二極管檔測(cè)量IGBT的C、E極間和G、E極間的二極管特性。正常情況下，C、E極間正向有一定壓降，反向截止；G、E極間類(lèi)似二極管特性。還可測(cè)量IGBT的柵極電阻，判斷其是否正常。動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)量上，可搭建簡(jiǎn)單測(cè)試電路。

4、測(cè)量大功率IGBT有多種方法。首先是外觀(guān)檢查，查看IGBT模塊外觀(guān)是否有燒焦、開(kāi)裂等明顯損壞跡象，引腳是否有松動(dòng)、氧化。靜態(tài)測(cè)量方面，使用萬(wàn)用表電阻檔。將萬(wàn)用表置于合適電阻量程，測(cè)量IGBT的集電極（C）與發(fā)射極（E）之間的正反向電阻。

5、可采用雙脈沖測(cè)試法。搭建測(cè)試電路，通過(guò)施加雙脈沖信號(hào)，測(cè)量IGBT的開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、開(kāi)通損耗、關(guān)斷損耗等動(dòng)態(tài)參數(shù)，了解其在實(shí)際工作中的開(kāi)關(guān)性能。耐壓測(cè)試也很關(guān)鍵，使用耐壓測(cè)試儀對(duì)IGBT施加規(guī)定的耐壓值，保持一定時(shí)間，檢測(cè)其是否能承受相應(yīng)電壓而不被擊穿，確保其在高壓環(huán)境下的可靠性。

IGBT測(cè)試儀為什么要用感性負(fù)載

當(dāng)然，使用感性負(fù)載進(jìn)行測(cè)試也有其局限性。由于感性負(fù)載具有較高的電感，可能會(huì)對(duì)測(cè)試儀的帶載能力提出更高的要求。同時(shí)，感性負(fù)載還可能導(dǎo)致測(cè)試電路中的電壓和電流波形失真，影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。因此，在選擇感性負(fù)載進(jìn)行測(cè)試時(shí)，需要綜合考慮IGBT的實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景和測(cè)試需求。

感性負(fù)載的作用： 感性負(fù)載就像一個(gè)能量存儲(chǔ)罐，當(dāng)IGBT試圖快速開(kāi)關(guān)時(shí)，它不會(huì)立即釋放或吸收電流，而是需要一個(gè)過(guò)程來(lái)穩(wěn)定電流。這個(gè)過(guò)程就導(dǎo)致了米勒平臺(tái)的產(chǎn)生。 米勒平臺(tái)的形成： 在開(kāi)通階段，隨著門(mén)極電壓的上升，米勒電容開(kāi)始充電。

然而，在感性負(fù)載下，這個(gè)平臺(tái)顯得更為明顯，因?yàn)殡娏餍枰獣r(shí)間來(lái)穩(wěn)定，這就導(dǎo)致了續(xù)流現(xiàn)象，從而增加了開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。在開(kāi)通階段，MOSFET的門(mén)極電壓會(huì)緩慢上升，形成一個(gè)平坦區(qū)域，而感性負(fù)載下，電流上升平滑，形成明顯的平臺(tái)電壓。

場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀的使用方法

1、場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀的使用方法主要包括以下步驟：準(zhǔn)備階段：確保安全：在使用前，確保Idm和高壓開(kāi)關(guān)處于OFF狀態(tài)，以保證操作安全。塑封功率場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試：連接測(cè)試設(shè)備：連接測(cè)試盒和專(zhuān)用測(cè)試線(xiàn)。設(shè)置Idss開(kāi)關(guān)：根據(jù)被測(cè)管的特性，如MOS管選擇250uA電流，IGBT選擇1mA，將Idss開(kāi)關(guān)設(shè)置好。

2、對(duì)于塑封功率場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試：連接測(cè)試盒和專(zhuān)用測(cè)試線(xiàn)，根據(jù)被測(cè)管的特性（如MOS管選擇250uA電流，IGBT選擇1mA），將Idss開(kāi)關(guān)設(shè)置好。將高壓開(kāi)關(guān)撥至ON，調(diào)整高壓電位器至被測(cè)器件擊穿電壓的130%~150%，測(cè)試時(shí)，擊穿指示燈亮表示電壓足夠，然后測(cè)量VDSS和VGS（th）。

3、用場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀。場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀的使用方法：打開(kāi)電源開(kāi)關(guān)前應(yīng)檢查：Idm開(kāi)關(guān)和高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)撥在OFF 位置上。塑封功率場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試： 按第五條：“測(cè)試盒和附加測(cè)試線(xiàn)”的說(shuō)明，連接好場(chǎng)效應(yīng)管專(zhuān)用測(cè)試盒和專(zhuān)用的兩根粗的附加測(cè)試線(xiàn)。

4、如果不用電路只用萬(wàn)用表測(cè)量的話(huà)，先用電阻檔測(cè)，G和S之間，G和D之間的正反向電阻都是無(wú)窮大，有短路說(shuō)明擊穿。

5、場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)量方法主要包括以下幾步： 鑒別電極 使用萬(wàn)用表：將萬(wàn)用表設(shè)在R×1k檔，選擇兩個(gè)電極測(cè)試正向和反向電阻。如果兩個(gè)電極的電阻值相等且在幾千歐姆范圍內(nèi)，那么它們可能是漏極D和源極S，剩下的一個(gè)電極即為柵極G。